Samsung готується до випуску пам’яті нового покоління для епохи ШІ
Компанія Samsung Electronics планує розпочати масове виробництво мікросхем пам’яті класу 1d DRAM наприкінці 2027 року. Нова технологія стане основою для наступного покоління високошвидкісної пам’яті HBM5, яка використовуватиметься в системах штучного інтелекту, датацентрах та високопродуктивних обчисленнях.
Позначення 1d DRAM належить до шостого покоління техпроцесу DRAM. Виробники пам’яті поступово переходять від вузлів 1x, 1y та 1z до дедалі менших норм виробництва, що дозволяє збільшувати щільність зберігання даних, знижувати енергоспоживання та підвищувати продуктивність чипів. Для Samsung освоєння 1d DRAM є важливим кроком у боротьбі з конкурентами — SK hynix та Micron Technology, які також активно розвивають технології пам’яті для ШІ-серверів.
Головним драйвером розвитку залишається стрімке зростання попиту на високошвидкісну пам’ять HBM (High Bandwidth Memory). Сучасні прискорювачі штучного інтелекту від таких компаній, як NVIDIA, потребують дедалі більших обсягів пам’яті та ширшої пропускної здатності для навчання і роботи великих мовних моделей. Саме тому виробники пам’яті інвестують мільярди доларів у нові технологічні процеси.
Втім, перехід до 1d DRAM пов’язаний із серйозними технічними викликами. У міру зменшення розмірів комірок пам’яті виробникам стає дедалі складніше забезпечувати стабільність зберігання даних, прийнятний рівень браку та економічну ефективність виробництва. Для подолання цих обмежень Samsung планує ширше використовувати нові матеріали, сучасні методи літографії та вдосконалені технології упаковки мікросхем.
Якщо плани компанії будуть реалізовані, наприкінці десятиліття саме 1d DRAM стане основою для HBM5 і майбутніх поколінь пам’яті, які забезпечуватимуть роботу найпотужніших ШІ-систем світу. Це ще раз підтверджує, що в епоху штучного інтелекту саме пам’ять, а не лише процесори чи графічні прискорювачі, стає одним із ключових факторів розвитку всієї напівпровідникової індустрії.
Нещодавно ми писали, що ціни на несерверну пам’ять DRAM майже досягли верхньої межі.
