Перспективні напрямки розвитку технології твердотільної пам’яті
З 2 по 4 серпня в Каліфорнії відбулася конференція Flash Memory Summit, в рамках якої було представлено кілька нових оригінальних рішень у галузі твердотільної пам’яті.
Зокрема компанія Samsung Electronics розповіла про свою розробку твердотільних накопичувачів Memory-semantic SSD, що, як стверджується, поєднують переваги пристроїв, які зберігають дані, та оперативної пам’яті DRAM. В нових девайсах використовуються високошвидкісні інтерконнекти Compute Express Link (CXL) та вбудована пам’ять DRAM. Це дозволяє покращити швидкість вибіркового читання даних та зменшити затримки доступу до 20 разів у порівнянні зі звичайними твердотільними дисками.
Накопичувачі Memory-semantic SSD оптимізовані для максимальної швидкості читання та запису невеликих блоків даних. Саме тому вони, як вважають в Samsung, чудово підійдуть для програм штучного інтелекту та машинного навчання. Адже відомо, що в цих обчисленнях виконується безперервна обробка великої кількості таких блоків.
Samsung під час презентації показала фото двох накопичувачів Memory-semantic SSD. Втім компанії поки не повідомляє інших технічних деталей та термінів початку виробництва.
Зробила кілька цікавих анонсів і компанія Kioxia, яка у червні 2018 року відокремилася від конгломерату Toshiba як Toshiba Memory Corporation, а в жовтні 2019 року була перейменована на Kioxia.
Вона зробила анонс нового покоління твердотільної пам’яті XL-FLASH, яка використовує фірмову технологію BiCS FLASH 3D і позиціонується як рішення класу Storage Class Memory (SCM).
Завдяки модернізованій технології multi-level cell (MLC), що дозволяє записувати в комірку пам’яті два біти замість одного, нове покоління XL-FLASH значно зменшить вартість 1 Гбайта в порівнянні з представленим у 2019 р. першим поколінням, що використовує single-level cell (SLC) . Крім того, покращиться продуктивність накопичувачів на базі XL-FLASH та зменшаться затримки доступу до даних. Максимальна ємність модулів пам’яті зросте за рахунок MLC з 128 до 256 гігабіт (32 Гбайт).
Дослідні зразки другого покоління XL-FLASH корпорація планує випустити в листопаді, а наступного року має намір розпочати серійне виробництво нової твердотільної пам’яті.
